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2N7002: N 沟道增强型场效应晶体管 60V，0.115A，7.5Ω。 此 N 沟道增强模式 MOSFET 是使用高单元密度的沟槽 MOSFET 技术生产的。此产品大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。此产品可用于高要求 400 mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
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产品型号 |
制造商 |
产品种类 |
封装 |
通道数量 |
晶体管极性 |
晶体管类型 |
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2N7002 |
ON Semiconductor |
MOSFET |
SOT-23-3 |
1 Channel |
N-Channel |
1 N-Channel |
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配置 |
Vds-漏源极击穿电压 |
Id-连续漏极电流 |
Rds On-漏源导通电阻 |
系列 |
MIN工作温度 |
MAX工作温度 |
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Single |
60 V |
115 mA |
1.2 Ohms |
2N7002
|
-55℃ |
+150℃ |
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