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FGH60N60UFD: IGBT，650V，20A，1.8V，TO-247，低 VCE(ON)，场截止

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

特性: 

高电流能力

低饱和电压： VCE(sat) = 1.9V @ IC = 60A

高输入阻抗

快速开关： EOFF =14uJ/A

符合 RoHS 标准

应用:

发电和配电

FGH60N60UFDTU-F085 600V, 60A Field Stop IGBT Features • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 60 A • High Input Impedance • Fast Switching • RoHS Compliant • Qualified to Automotive Requirements of AEC-Q101