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会员类型：
会员年限：5年
黄小姐 
电话：0755-83948880
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林先生
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产品型号 |
制造商 |
产品种类 |
封装 |
通道数量 |
晶体管极性 |
MIN工作温度 |
MAX工作温度 |
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CSD19505KCS |
TI |
MOSFET |
TO-220-3 |
1Channel |
N-Channel |
-55℃ |
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+175℃ |
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Qg-栅极电荷 |
Rds On-漏源导通电阻 |
Id-连续漏极电流 |
Vds-漏源极击穿电压 |
Vgs-栅极-源极电压 |
Vgs th-栅源极阈值电压 |
Pd-功率耗散 |
下降时间 |
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76nC |
3.1mOhms |
100A |
80V |
-20V,+20V |
2.6V |
300W |
6ns | |
CSD19505KCS 采用TO-220封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
这款 80V，2.6mΩ，TO-220 NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中zui大限度地降低功率损耗。
特性：
1.超低Qg和Qgd
2.低热阻
3.雪崩额定值
4.无铅端子镀层
5.符合 RoHS 环保标准
6.无卤素
7.晶体管 (TO)-220 塑料封装
应用范围：
次级侧同步整流器
电机控制
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