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此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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产品型号 |
制造商 |
产品种类 |
封装 |
Vr-反向电压 |
If-正向电流 |
类型 |
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FQP4N90C |
ON |
MOSFET |
TO-220-3 |
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MOSFET
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配置 |
Vf-正向电压 |
MAX浪涌电流 |
Ir-反向电流 |
恢复时间 |
MIN工作温度 |
MAX工作温度 |
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Single |
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-55℃ |
+150℃ |
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